Duits Infineon meldt doorbraak met materiaal voor chips

MÜNCHEN (ANP) - Het Duitse chipbedrijf Infineon zegt een technologische doorbraak te hebben behaald in het productieproces voor chips. Het is het bedrijf gelukt om op grote schaal grotere wafers, oftewel de schijven waarop chips worden gemaakt, te produceren van het materiaal galliumnitride. Dat kan op termijn zorgen voor efficiëntere en kleinere apparaten, stelt Infineon.

De meeste chips worden nu nog gemaakt op een wafer van silicium. Maar galliumnitride, ook wel GaN genoemd, is de laatste jaren in opkomst omdat dit materiaal in chips apparaten energiezuiniger kan maken. Het gaat dan vooral toepassingen voor AI-servers, opladers, zonnepanelen en elektrische auto's.

Infineon zegt nu een "schaalbaar" productieproces te hebben ontwikkeld voor wafers van galliumnitride met een diameter van 300 millimeter. Tot nu toe gold 200 millimeter als de maximale diameter voor GaN-wafers. Per schijf kunnen daardoor 2,3 keer zoveel chips worden gemaakt, meldt het bedrijf.

Infineon-topman Jochen Hanebeck voorspelt dat de "technologische doorbraak een verandering in de industrie teweegbrengt".